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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Puntuación global
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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 11.1
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 6.1
    Valor medio en las pruebas
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Razones a tener en cuenta
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    30 left arrow 35
    En -17% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 30
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 11.1
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 6.1
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2321 left arrow 1254

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
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Memoria RAM
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
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Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
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Memoria RAM
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Memoria RAM
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
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SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Memoria RAM
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FAD 16GB
Memoria RAM
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Memoria RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
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Memoria RAM
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
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Memoria RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
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Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
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Memoria RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
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Kllisre DDR4-8GB 8GB
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
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