RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
35
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
31
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3357
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMR64GX4M8X3800C19 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRR 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link