RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.5
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
18.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3402
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSEG 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3600C17D4/8GX 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G3A2 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link