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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Comparez
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Note globale
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de -25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.5
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
35
28
Vitesse de lecture, GB/s
14.4
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
9.5
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2321
3402
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
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Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.CAGN4.4020B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
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Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
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