RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
36
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.9
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
36
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2907
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX2933C17S4/32G 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Samsung M391B1G73BH0-CK0 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link