RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Confronto
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
36
Intorno 3% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.9
14.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
35
36
Velocità di lettura, GB/s
14.4
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2321
2907
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link