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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
69
En 49% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.7
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
69
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
1831
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
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