RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En -35% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
26
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
4022
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link