RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
35
En -17% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
30
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3496
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link