RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
35
Wokół strony -17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
30
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
3496
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston KHX3000C15/16GX 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link