RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
35
En -25% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.1
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
28
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
19.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3786
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZN 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Informar de un error
×
Bug description
Source link