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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Puntuación global
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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB

Puntuación global
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 12.7
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 6.3
    Valor medio en las pruebas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
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  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    24 left arrow 35
    En -46% menor latencia
  • Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
    17000 left arrow 10600
    En 1.6 mayor ancho de banda

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    35 left arrow 24
  • Velocidad de lectura, GB/s
    14.4 left arrow 12.7
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 6.3
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descripción
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2321 left arrow 2256

Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM

Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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