RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2256
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link