RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
6.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
35
Wokół strony -46% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
24
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
6.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2256
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FA 16GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Kingston 9905711-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston 9965600-033.A00G 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVK 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link