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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
35
En -52% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.2
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
23
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
18.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
3498
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
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