RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3498
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link