RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
35
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.2
14.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
23
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
18.2
Скорость записи, Гб/сек
9.5
15.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
3498
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Ramaxel Technology RMUA5210ME88HCF-3200 32GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link