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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
43
En 19% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.3
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
43
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2776
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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