RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
43
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.4
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.3
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
10600
Wokół strony 2.42 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
43
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
25600
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2776
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M471A1A43DB0-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-UH 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link