RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
35
37
En 5% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
14.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
37
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2698
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link