RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Porównaj
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
37
Wokół strony 5% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
14.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
10600
Wokół strony 2.01 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
37
Prędkość odczytu, GB/s
14.4
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
21300
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2321
2698
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link