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Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Compara
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB vs Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Puntuación global
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
35
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
35
27
Velocidad de lectura, GB/s
14.4
13.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2321
2755
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FE 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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