RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Сравнить
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB против Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.4
13.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около -30% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.9
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
35
27
Скорость чтения, Гб/сек
14.4
13.9
Скорость записи, Гб/сек
9.5
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2321
2755
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 76.D305G.D390B 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link