RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB

Средняя оценка
star star star star star
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    46 left arrow 64
    Около 28% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    13.6 left arrow 10.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11% выше полоса пропускания
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Причины выбрать
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    17.3 left arrow 14.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 64
  • Скорость чтения, Гб/сек
    14.2 left arrow 17.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    13.6 left arrow 10.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2717 left arrow 2181

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Сравнения RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
модули RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
модули RAM
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
модули RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
Kingston 9965640-004.C00G 16GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
модули RAM
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
модули RAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
модули RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
модули RAM
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
модули RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
модули RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 16GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
модули RAM