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SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
比较
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
总分
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
总分
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
46
64
左右 28% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
13.6
10.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
19200
左右 1.11% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
17.3
14.2
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
46
64
读取速度,GB/s
14.2
17.3
写入速度,GB/s
13.6
10.0
内存带宽,mbps
21300
19200
Other
描述
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
时序/时钟速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2717
2181
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FB 8GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
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