RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Compara
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.6
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.9
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
17.6
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
13.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
3473
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMH32GX4M4E3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-32GTZR 32GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston XW21KG-MIE2 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link