RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Comparez
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Note globale
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.6
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
17.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.4
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1770
3473
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200 32GB Comparaison des RAM
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston 9905701-020.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link