RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Compara
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.8
11.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
32
39
En -22% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.7
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
32
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
11.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
12.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
2804
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair MK16GX44A2666C16 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link