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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Especificaciones
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Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
30
39
En -30% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.1
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
30
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.1
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
1847
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G26C16U4R.8FD 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
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