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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Comparar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razões a considerar
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
30
39
Por volta de -30% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15.1
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.0
7.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
30
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
15.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.4
11.0
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1770
1847
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
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