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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Compara
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
3402
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
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Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
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Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
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