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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Confronto
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
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Motivi da considerare
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.4
12.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
7.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
39
39
Velocità di lettura, GB/s
12.8
15.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.4
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1770
3402
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5458-001.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
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SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FHD 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT4G3S1339M.M16FKD 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
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