RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Confronto
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
33
Intorno 15% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
12.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
33
Velocità di lettura, GB/s
12.9
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2112
2466
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
OCZ OCZ2V8002G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link