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Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Compara
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB vs Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Puntuación global
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Puntuación global
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
74
En 47% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
7.4
6.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.3
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
74
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
7.4
6.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1770
1583
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston XJV223-MIE 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
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