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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
39
En -44% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.2
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
27
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
14.2
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
11.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2596
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
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Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905700-072.A01G 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
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