RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
31
39
En -26% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.9
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.6
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
31
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
18.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
14.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3356
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Mushkin MB[A/B]4U240FFFF16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link