RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Comparar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Pontuação geral
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
39
Por volta de -26% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.9
11.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.6
7.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
39
31
Velocidade de leitura, GB/s
11.7
18.9
Velocidade de escrita, GB/s
7.2
14.6
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
1749
3356
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparações de RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link