RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
34
39
En -15% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.7
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
34
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
14.7
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
9.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2597
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix GKE800UD102408-2400 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G1D1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston MSI16D3LS1KFG/4G 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link