Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Punteggio complessivo
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Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Punteggio complessivo
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    34 left arrow 39
    Intorno -15% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    14.7 left arrow 11.7
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.2 left arrow 7.2
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 10600
    Intorno 1.6 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    39 left arrow 34
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.7 left arrow 14.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    7.2 left arrow 9.2
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    1749 left arrow 2597
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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