RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
20
39
En -95% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
18.4
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.2
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
20
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
18.4
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
14.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3540
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3000C15 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMWS8GL3200K16W4E 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link