RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
39
40
En 3% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
10600
En 1.81 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
40
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
19200
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
2965
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD64GX4M4B2800C14 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2666C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link