RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Porównaj
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
40
Wokół strony 3% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
11.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
7.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
40
Prędkość odczytu, GB/s
11.7
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.2
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1749
2965
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C18-16GRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FAD 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL16G30C15U4R.M16FE1 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMK16GX4M2B3333C16 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link