RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Porównaj
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Wynik ogólny
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
35
Wokół strony -35% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.2
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.3
7.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
35
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
18.2
Prędkość zapisu, GB/s
7.3
17.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1570
3938
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8N6TNSQG 4GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AX5U5200C3816G-B 16GB
A-DATA Technology AD5U480016G-B 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Golden Empire CL5-5-5DDR2 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link