Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 35
    Около -35% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    18.2 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    17.3 left arrow 7.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 12800
    Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    35 left arrow 26
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 18.2
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 17.3
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 21300
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1570 left arrow 3938
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения