RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Porównaj
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Wynik ogólny
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
49
Wokół strony -69% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
49
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,577.1
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,066.5
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
737
2708
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston MSI24D4D4S8MB-8 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link