RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4167
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200ME78HAF-3200 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMK64GX4M8B3200C16 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Mushkin MR[A/B]4U320LLLM16G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.DAGQ7.40B0B 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link