RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
71
Wokół strony -184% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
25.2
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.5
1,322.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
71
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,831.6
25.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,322.6
19.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
399
4167
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Avant Technology F6451U66G1600G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FJ 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZRA 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240082 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X8GE2400C16K4 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link