RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB vs G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

総合得点
star star star star star
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

総合得点
star star star star star
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB 考慮すべき理由
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
バグを報告する
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB 考慮すべき理由
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    25 left arrow 71
    周辺 -184% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    25.2 left arrow 2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    19.5 left arrow 1,322.6
    テスト平均値
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 5300
    周辺 3.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    71 left arrow 25
  • 読み出し速度、GB/s
    2,831.6 left arrow 25.2
  • 書き込み速度、GB/秒
    1,322.6 left arrow 19.5
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    399 left arrow 4167

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB RAMの比較

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564U64EP8-S5 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB

G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB RAMの比較

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
メモリRAM
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-FFFHMZ 8GB
メモリRAM
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
メモリRAM
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
メモリRAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3000C15 16GB
メモリRAM
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
メモリRAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
Kingston 9905712-001.B00G 16GB
メモリRAM
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
メモリRAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
メモリRAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
メモリRAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
メモリRAM
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
メモリRAM
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
メモリRAM