RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
22
39
En -77% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.9
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
22
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
16.9
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3166
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5625-015.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link