RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Compara
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Puntuación global
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
29
39
En -34% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.8
11.7
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.9
7.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
39
29
Velocidad de lectura, GB/s
11.7
20.8
Velocidad de escritura, GB/s
7.2
16.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
1749
3901
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GVK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2133 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9905428-401.A00LF 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link