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Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Compara
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Puntuación global
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
28
51
En -82% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
10.2
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
7.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
10600
En 2.42 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
28
Velocidad de lectura, GB/s
10.2
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
7.6
9.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
25600
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2049
2932
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMT8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
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