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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB vs Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Puntuación global
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Puntuación global
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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Razones a tener en cuenta
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
47
51
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
11.2
9.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.4
8.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
51
47
Velocidad de lectura, GB/s
9.8
11.2
Velocidad de escritura, GB/s
8.1
8.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2208
2362
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Comparaciones de la memoria RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
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