RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB против Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Средняя оценка
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
51
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.2
9.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
47
Скорость чтения, Гб/сек
9.8
11.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2208
2362
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 9DEPBOZE-TATP 8GB
SK Hynix HMT125U6TFR8C-H9 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9965662-008.A01G 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Kingston 99U5428-046.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link